您现在的位置: 首页 >  院士信息 >  院士名单与简介 >  全体院士名单
院士信息

陈星弼

 

【字号:    
陈星弼

  半导体器件及微电子学专家。原籍浙江浦江,1931年1月28日生于上海。1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。1999年当选为中国科学院院士。

  五十年代末,对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来,从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p-n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题,作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构,提高了功率器件的综合性能优值,其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容,有利于发展耐高压的功率集成电路。

导航
首页
学部介绍
院士信息
院士大会
院士增选
智库建设
出版物
学部工作局
动态
学部动态
媒体报道
咨询评议
学术交流
科普活动
院士动态
专题
2017中科院院士增选
陈嘉庚科学奖
科学与中国
院士文库
缅怀院士
中科院第十八次院士大会
纪念学部成立60周年
院士口述故事
工具栏
院士邮箱系统
院士增选系统
学部咨询项目管理系统
学部学科项目管理系统
学部局综合办公平台