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李志坚

 

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李志坚

  微电子技术专家。1928年5月1日生于浙江宁波。1951年毕业于浙江大学物理系。1958年获苏联列宁格勒大学物理-数学副博士学位。清华大学教授。1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。2011年5月2日逝世。

  50年代初,在半导体薄膜光电导和光电机理研究中,提出电子晶粒间界理论,在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究,其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果,促进了国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究,领导、指导和直接参与了多种静态存储器,8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作,并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括:系统芯片集成和微电子机械技术。

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