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阙端麟

 

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阙端麟

    半导体材料专家。1928年5月19日生于福建福州。1951年毕业于厦门大学。浙江大学教授。1991当选为中国科学院院士(学部委员)。2014年12月17日逝世。

    1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷负责并领导了极高阻硅单晶的研制,并成功地研制出探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面,进行了新的测试方法和理论研究,提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号发展了单色红外光电导衰减寿命的测试技术和理论,研制生产了仪器,使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。80年代,首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术,生产出优质低成本硅单晶,开辟了微氮直拉硅单晶基础研究工作。

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