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艾伦·黑格(Alan J.Heeger)

 

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艾伦·黑格(Alan J.Heeger)

物理、化学、材料学家。美国国籍。1936年12月生于美国爱荷华州苏城。1961年获美国加州大学伯克利分校物理博士学位,2000年获我国华南理工大学名誉理学博士学位。1982-1999任该校有机及高分子固体研究所所长。美国科学院院士(2001)、美国工程科学院院士(2002)。

黑格在有机及导电高分子材料与器件及低维物理研究领域做出了开创性的成就。他对物理及材料科学的主要开创性贡献有:1973年发表对TTF-TCNQ类高导有机电荷转移复合物的研究,开创了有机金属导体及有机超导体研究的先河;1976年发表对聚乙炔的掺杂研究,开创了导电聚合物的研究的领域;随后与他人合作提出SSH理论来解释其孤子电导机制,大大促进了低维物理研究的发展;1990年发表可加工性高导聚苯胺,实现了导电聚合物的实用化;1991发现MEH-PPV 与C60之间的光诱导电荷分离,是目前高效大面积聚合物异质结太阳电池研究的物理基础及源头之一;1996年首次实现共扼聚合物固态下的光泵浦激光。他注重基础研究与应用的结合,开创或参与开创了三家高科技公司。2000年获诺贝尔化学奖。 1986黑格首次受中国科学院化学研究所和物理研究所邀请访问中国,并与我国学术界建立了良好的合作关系,近年来每年来华访问1-2次。先后为我国培养了数十名博士及博士后研究人员,其中不少人已回国作出贡献。他积极支持中美间学术交流,支持与我国科学院及高校的合作研究,UCSB有机及聚合物固体研究所与国内几个大学与研究所建立有长期合作协定。

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